Лазеры на эксимерных молекулах чистых инертных газов

Обычно эксимерные лазеры на инертных газах работают при относительно высоких давлениях (более двух атмосфер), а источником возбуждения являются пучки электронов сравнительно высокой энергии и плотности (~1 МэВ, сотни А·см-2). При таких условиях концентрация электронов в образующейся плазме довольно высока (более 1014 см-3).

Механизм селективной накачки эксимерных уровней можно упрощенно рассматривать как последовательность столкновений с обменом энергией. Электроны высокой энергии ионизируют или возбуждают основной газ в результате реакций типа e - + Ar → Ar+ + 2e-; e - + Ar → Ar* + e. Все примеры, приводимые для аргона, справедливы также для ксенона и криптона. В зависимости от используемого газа вторичные электроны имеют среднюю энергию в диапазоне 5 - 7 эВ.

При высоких давлениях, характерных для рассматриваемых лазеров, трехчастичная ассоциация по схеме Ar+ + 2Ar → Ar2+ + Ar протекает достаточно быстро. Затем в процессе диссоциации образуются нейтральные возбужденные диссоциирующие молекулы e - + Ar2+ → Ar2 → Ar** + Ar. Процессы трехчастичной ассоциации, имеющие большую скорость при высоких давлениях, приводят затем к образованию связанных молекулярных уровней Ar** + 2Ar → Ar2* + Ar. Самые низкие возбужденные состояния молекул не пересекаются отталкивательными кривыми, и поэтому молекулы в таких состояниях не диссоциируют. При высоких давлениях процессы, описанные выше, протекают быстрее радиационного распада, так что эта цепочка процессов позволяет получить высокую плотность инверсии населенностей.