Фазовые равновесия в системе Zn-Ge-As по разрезу ZnAs2-Ge

Таким образом, нами установлено, что обработка экспериментальных данных ТЗКН по методу [12-14], позволяет определять является ли центр бистабильным.

Из полученных результатов можно сделать вывод, что нельзя однозначно определить уровни ионизации бистабильного амфотерного центра только по экспериментальному исследованию температурной зависимости равновесной концентрации свободных носителей. Об энергиях ионизации можно судить по спектральным кривым примесной фотопроводимости в условиях различной степени компенсации или по термостимулированным токам[6].

Таким образом, при исследовании полупроводниковых материалов содержащих бистабильные амфотерные центры, только анализ совокупных данных по примесной фотопроводимости, термостимулированным токам и т.п. вместе с температурной зависимостью концентрации свободных основных носителей с применением понятий предложенной модели может восстановить реалистическую картину параметров дефекта. В противном случае, т.е. без учета сложного поведения дефекта, определенные из экспериментальных данных параметры могут приводить к кажущимся качественным и количественным несоответствиям, физически трудно объяснимым.